[发明专利]一种磁控溅射制备氢化硅碳薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种磁控溅射制备氢化硅碳薄膜的方法，将基体预处理后放入磁控溅射镀膜设备中，以平面Si靶和C靶作为相应元素的来源，Si靶、C靶以对靶的方式安置在炉体内壁上，通过调整中频脉冲电源的功率控制靶的溅射率；采用高纯Ar作为离化气体，保证有效的辉光放电过程；采用高纯H₂作为反应气体，使其离化并与Si、C元素结合，在基体表面沉积形成氢化硅碳薄膜，通过掺入C含量的变化，改变Si、C的化学计量比，进而改变薄膜的光电性能。本发明制备的氢化硅碳薄膜可在太阳能电池、薄膜晶体管、发光二极管、紫外图像传感器、微细超流涂层以及防腐抗氧化涂层等方面得到广泛应用。

主权项

1.一种磁控溅射制备氢化硅碳薄膜的方法，其特征在于，包括下列步骤：1)将基体预处理后放入磁控溅射镀膜设备真空室中的转架杆上，该转架杆随转架台转动，同时自转，保证镀膜过程的均匀性；2)以平面Si靶、C靶作为相应元素的来源，平面Si靶和C靶以对靶的方式安置在炉体内壁上；3)将真空室的气压抽至10-4～10-3Pa，加热基体，使基体温度为200～250℃；4)真空室通入Ar气并开负偏压对真空室和基体进行轰击清洗；5)关闭Ar气，将真空室的气压再次抽至10-4～10-3Pa，接着同时通入Ar气和H2气，H2气与Ar气流量比为1∶3～1∶6，当真空室气压上升至0.3～0.6Pa，调整负偏压到-100V，打开Si靶和C靶的控制电源，将Si靶的电源功率调至4kW，C靶的电源功率调至0.5～8kW，沉积时间为60～120min，得到氢化硅碳薄膜。