[发明专利]梁膜结合微压传感器无效
申请号: | 200910024321.4 | 申请日: | 2009-10-14 |
公开(公告)号: | CN101672710A | 公开(公告)日: | 2010-03-17 |
发明(设计)人: | 蒋庄德;田边;赵玉龙;廖南生 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | G01L9/04 | 分类号: | G01L9/04 |
代理公司: | 西安智大知识产权代理事务所 | 代理人: | 弋才富 |
地址: | 710049*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 梁膜结合微压传感器,包括一基座4,基座4空腔内配置一(100)晶面的全硅微压芯片5,所说的全硅微压芯片5的硅片的正面腐蚀形成相互垂直的梁11和梁11’,在硅片背面腐蚀形成平膜10,梁11和梁11’与硅片四周的梁共同构成一“田”字梁,形成梁膜结构,被测量压力作用于全硅微压芯片5的背面,其硅膜片产生应力,导致梁上的电阻发生变化,从而测出压力值,本发明使得传感器的弹性和敏感元件与转化电路之间集成为一体,大大降低了传感器在测量过程中的迟滞、重复性误差,从而提高了传感器的测量精度;可以广泛适用于石油测井、工业自动化、动力装备以及国防研究等领域。 | ||
搜索关键词: | 结合 传感器 | ||
【主权项】:
1、梁膜结合微压传感器,包括一配置有空腔的基座(4),基座(4)的空腔与基座(4)上的进气孔(9)相连通,基座(4)空腔内配置有带孔的玻璃环(2)和电路转接板(1),玻璃环(2)的孔与进气孔(9)对准用环氧树脂胶相粘,电路转接板(1)与基座(4)通过环氧树脂胶牢固粘接,基座(4)空腔内还配置一【100】晶面的全硅微压芯片(5),全硅微压芯片(5)与玻璃环(2)通过静电键合封接在一起,全硅微压芯片(5)上的压焊块(12、13、14、15)和(16)与电路转接板(1)上的焊盘(7)之间通过超声热压焊用金丝(6)连接,并将引线(8)引出,其特征在于,所说的全硅微压芯片(5)包括一硅片,在硅片的正面腐蚀形成相互垂直的梁(11)和梁(11’),在硅片背面腐蚀形成平膜(10),梁(11)和梁(11’)与硅片四周的梁共同构成一“田”字梁,形成梁膜结构。
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