[发明专利]氮杂芴类有机半导体材料及制备和应用方法无效
| 申请号： | 200910024463.0 | 申请日： | 2009-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN101492447A | 公开（公告）日： | 2009-07-29 |
| 发明（设计）人： | 黄维;解令海;陈琳;赵祥华;石乃恩 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | C07D471/04 | 分类号： | C07D471/04;C07D519/00;H01L51/56;H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 叶连生 |
| 地址： | 210003江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 氮杂芴类有机半导体材料及制备和应用方法属有机光电材料科技领域，具体为一种氮杂芴类有机半导体材料及其制备方法，并将该类材料应用于有机发光显示、荧光传感、有机闪存器件和太阳能电池等有机电子领域，该材料具有如上结构，该材料具有：(1)氮杂芴具有特殊的电子受体电子结构和光电性质；(2)可以和金属相互作用或反应，应用于传感领域；(3)合成路线简单等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 氮杂芴类 有机 半导体材料 制备 应用 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮杂芴类有机半导体材料，其特征在于该材料以氮杂芴为主体，具有为如下结构：![]()
化合物材料I式中：R1、R2为氢、卤素或具有1至22个碳原子的直链、支链或者环状烷基或烷氧基链；选自氢或正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、2-乙基己基、正壬基或正葵基或正辛氧基链中的任意一种；n为1，2，3，4中任意数字；X为氧、取代的氮、取代的碳，具体为如下结构：![]()
Ar为溴或碘或者芳烃结构，具体芳烃结构如下列中的一种：![]()
m为1-10之间的数字。
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