[发明专利]一种复合式场致发射阴极结构及其制备方法无效
| 申请号： | 200910024466.4 | 申请日： | 2009-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN101488431A | 公开（公告）日： | 2009-07-22 |
| 发明（设计）人： | 雷威;张晓兵;孙小卫;娄朝刚 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J9/02 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 叶连生 |
| 地址： | 211109江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种复合式场致发射阴极结构及其制备方法，其制备的方法为：a)在阴极基板(1)上采用印刷或者镀膜的方法制备阴极电极(2)；b)在阴极电极上(2)上采用丝网印刷的方法制备碳纳米管过渡层(3)，c)自然冷却基板(1)及碳纳米管过渡层(3)，在冷却后的碳纳米管过渡层(3)上丝网印刷氧化锌发射层(4)，d)将阴极基板(1)、阴极电极(2)、碳纳米管过渡层(3)及纳米结构氧化锌发射层(4)组成的场致发射阴极置于烧结炉中烘烤；e)自然冷却基板(1)、阴极电极(2)、碳纳米管过渡层(3)和纳米结构氧化锌场发射层(4)组成的场致发射阴极至室温，形成复合式场致发射阴极结构；f)在阴极基板(1)上制备隔离体(5)，g)在隔离体(5)上设置导电的阳极基板(6)。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合 式场致 发射 阴极 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种复合式场致发射阴极结构，其特征是该结构以阴极基板(1)为基板，在阴极基板(1)上设有阴极电极(2)，在阴极电极上设有碳纳米管过渡层(3)，在碳纳米管过渡层(3)上设有纳米结构的氧化锌场致发射层(4)组成场致发射阴极，在场致发射阴极上设有隔离体(5)，在隔离体(5)上设导电的阳极基板(6)组成复合式场致发射阴极结构。
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