[发明专利]光敏复合介质栅MOSFET探测器

摘要

光敏复合介质栅MOSFET探测器的设置方法，每个单元探测器的构成是：在基底P型半导体材料上方的两侧设有N型半导体区构成源极和漏极，基底正上方的分别设有二层绝缘介质材料和控制栅极，二层绝缘介质材料之间设有光电子存储层；与控制栅极接触的第二绝缘介质是是阻止光电子存储层中存储的电荷流失到栅极的材料，源漏极在搜集光电子和储存光电子到光电子储存层时均为悬空结构；第一绝缘介质即底层介质，采用氧化硅、Si0N或其它高介电常数介质；第二绝缘介质层的材料即顶层介质，采用氧化硅/氮化硅/氧化硅、氧化硅、氧化铝或其它高介电常数介质材料；且基底层或栅极面至少有一处为对探测器探测波长透明或半透明的窗口。

主权项

光敏复合介质栅MOSFET探测器的设置方法，其特征是每个单元探测器的构成是：在基底P型半导体材料上方的两侧设有N型半导体区构成源极和漏极，基底正上方的分别设有二层绝缘介质材料和控制栅极，二层绝缘介质材料之间设有光电子存储层，所述光电子存储层是多晶硅、Si3N4、InGaN1、金属膜或其它电子导体或半导体；控制栅极是多晶硅、金属或透明导电电极；与控制栅极接触的第二绝缘介质是是阻止光电子存储层中存储的电荷流失到栅极的材料，第二绝缘介质是宽带半导体；基底P型半导体材料接触的第一绝缘介质层在栅极低压下，有效隔离源极和漏极之间沟道和光电子存储层，在栅极高压下或光子能量较高时，把所述沟道中电子扫入光电子存储层；源漏极在搜集光电子和储存光电子到光电子储存层时均为悬空结构；第一绝缘介质即底层介质，采用氧化硅、SiON或其它高介电常数介质；第二绝缘介质层的材料即顶层介质，采用氧化硅/氮化硅/氧化硅、氧化硅/氧化铝/氧化硅、氧化硅、氧化铝或其它高介电常数介质材料；栅极与衬底的电压差要足够大时使得沟道中搜集的光电子能通过遂穿进入光电子存储层，且基底层或栅极面至少有一处为对探测器探测波长透明或半透明的窗口。