[发明专利]一种焊接晶体硅太阳电池片的方法有效
| 申请号： | 200910024735.7 | 申请日： | 2009-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN101626046A | 公开（公告）日： | 2010-01-13 |
| 发明（设计）人： | 孔凡建 | 申请（专利权）人： | 江苏辉伦太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京天华专利代理有限责任公司 | 代理人： | 夏 平 |
| 地址： | 210032江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种焊接晶体硅太阳电池片的方法，其特征是：焊接人员将焊带和被焊接的太阳电池片沿主栅线纵向放置在面前，焊带的下端距离太阳电池片下边缘3-8mm并保持焊带完全覆盖所需焊接的主栅线，焊接电烙铁从焊带距离太阳电池片上边缘下方3-8mm位置处开始焊接，电烙铁沿焊带向下移动并一直移动至焊带下端与电池片下边缘之间3-8mm的空白区域。本发明将原有的焊接摆放方式转动了180度放置，避免了焊锡在太阳电池的上电极焊带上的堆积，又将多余的焊锡保留在上电极焊带终端与电池片边缘之间的空白区间的电池片的主栅线上，起到了延伸焊带的作用，减少了由于焊锡堆积对电池片所形成的应力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 焊接 晶体 太阳电池 方法 | ||
【主权项】：
1、一种焊接晶体硅太阳电池片的方法，其特征是：焊接人员将焊带和被焊接的电池片沿主栅线纵向放置在面前，焊带的下端距离电池片下边缘3-8mm并保持焊带完全覆盖所需焊接的主栅线，焊接电烙铁从焊带距离电池片上边缘下方3-8mm位置处开始焊接，电烙铁沿焊带向下移动并一直移动至焊带下端与电池片下边缘之间3-8mm的空白区域。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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