[发明专利]溅镀用方形TiW靶材表面处理工艺无效

专利信息
申请号: 200910025058.0 申请日: 2009-02-18
公开(公告)号: CN101492808A 公开(公告)日: 2009-07-29
发明(设计)人: 林尚涛 申请(专利权)人: 颀中科技(苏州)有限公司
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34;B24C1/04;B24C9/00;B08B3/12
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215123江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种溅镀用方形TiW靶材表面处理工艺,包括遮蔽、一次喷砂、二次喷砂、去除遮蔽、清洗、干燥等步骤。在该工艺中,通过喷砂步骤在方形TiW靶材表面上的再沉积区域进行喷砂,使该区域表面的粗糙度增加,增加再沉积区域对TiW微粒的附着力,避免TiW微粒和靶材由于附着力太差而剥落,可以避免在产品表面发生不可恢复的物理破坏,从而降低产品不良率,提高产品品质。
搜索关键词: 溅镀用 方形 tiw 表面 处理 工艺
【主权项】:
1.一种溅镀用方形TiW靶材表面处理工艺,其特征在于其包括如下步骤:1)遮蔽:确认靶材容易产生再沉积的区域的位置,将此区域外的其他靶材位置进行遮蔽;2)一次喷砂:用粗砂对再沉积区域内的TiW微粒进行轰击,以使其剥落;3)二次喷砂:用细砂对再沉积区域内的TiW靶材表面进行轰击,并测量再沉积区域内的粗糙度Ra的值,直至再沉积区域内的粗糙度Ra的值达到5-7um;4)去除遮蔽:将靶材上的遮蔽物去除;5)清洗:先用高压水进行清洗,然后用超声波清洗,再然后用超纯水润洗,最后用气枪将TiW靶材表面水分去除;6)干燥:将TiW靶材进行无尘干燥。
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