[发明专利]具单胞失效自防护功能的多胞连接大功率光电器件有效

专利信息
申请号: 200910027433.5 申请日: 2009-05-06
公开(公告)号: CN101645441A 公开(公告)日: 2010-02-10
发明(设计)人: 蔡勇 申请(专利权)人: 苏州纳米技术与纳米仿生研究所
主分类号: H01L25/075 分类号: H01L25/075;H01S3/23;H01L23/62;H01L23/48
代理公司: 南京苏科专利代理有限责任公司 代理人: 陈忠辉
地址: 215125江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种具单胞失效自防护功能的多胞连接大功率光电器件,涉及半导体光电领域。该光电器件的芯片被分隔成至少2个单胞,每个单胞的阳极引线、阴极引线与对应极性的总引出电极相连,其特征在于:每个单胞与总引出电极之间的电极引线中串接至少一个可熔断电阻,所述可熔断电阻是指由电流热效应引起的温度升高达到并超过自身熔点,熔断造成电学隔离的电阻。本发明通过在单胞与总引出电极之间串接入可熔断电阻,对光电器件内任一单胞的异常短路失效能够快速、及时地做出电学隔离反应,消除了单胞失效对器件其他部分的影响,提高了光电器件的整体稳定性和可靠性。
搜索关键词: 具单胞 失效 防护 功能 连接 大功率 光电 器件
【主权项】:
1.具单胞失效自防护功能的多胞连接大功率光电器件,所述光电器件的芯片被分隔成至少2个单胞,每个单胞的阳极引线、阴极引线与对应极性的总引出电极相连,其特征在于:每个单胞与总引出电极之间的电极引线中串接至少一个可熔断电阻,所述可熔断电阻是指由电流热效应引起的温度升高达到并超过自身熔点,熔断造成电学隔离的电阻。
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