[发明专利]MgO薄膜电子束蒸发制备方法及装置无效

专利信息
申请号: 200910027866.0 申请日: 2009-05-18
公开(公告)号: CN101565813A 公开(公告)日: 2009-10-28
发明(设计)人: 孙青云;朱立锋;王保平;林青园 申请(专利权)人: 南京华显高科有限公司
主分类号: C23C14/08 分类号: C23C14/08;C23C14/30
代理公司: 南京天华专利代理有限责任公司 代理人: 夏 平
地址: 210061江苏省南*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种MgO薄膜电子束蒸发制备方法及装置,它包括至少一个MgO薄膜电子束蒸发装置,安装在真空室(12)内,它包括成膜速率调整装置(101)、坩埚(301)、蒸发角度控制装置(121)和电子枪(501),各成膜速率调整装置(101)的一端安装在真空室(12)的顶部,另一端与相应的所需制备MgO薄膜的玻璃基板相连,在玻璃基板的正下方安装有用于盛放MgO原料的坩埚(301),蒸发角度控制装置(121)安装在坩埚(301)上,电子枪(501)安装在坩埚(301)的下方。本发明具有工艺稳定性高、设备利用率高、减少对真空系统的污染和降低清洗衬板的成本的优点。
搜索关键词: mgo 薄膜 电子束 蒸发 制备 方法 装置
【主权项】:
1、一种MgO薄膜电子束蒸发制备方法,其特征是它包括以下步骤:a.将基板放置在蒸发源的正上方,设置成膜速率调整装置(101)调节基板与蒸发源的距离范围是30-60cm;b.调节蒸发源上的蒸发角度控制装置(121)使得蒸发角在50°-130°范围内,调整好后,打开真空镀膜机排气;c.镀膜机排气完毕,真空度达到1.0×10-3Pa后,打开电子枪电源(601)使电子枪(501)发射电子束对蒸发源的MgO原料进行蒸发,同时打开氧气引入管道控制氧气通入的方向对已真空的室内通入10-200Sccm的氧气;d.MgO原料蒸发的粒子从蒸发源发射出来,当蒸发粒子碰到基板时,冷却形成MgO薄膜。
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