[发明专利]一种非极性面InN材料的生长方法无效
| 申请号： | 200910027926.9 | 申请日： | 2009-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN101560692A | 公开（公告）日： | 2009-10-21 |
| 发明（设计）人： | 谢自力;张荣;刘斌;修向前;华雪梅;赵红;傅德颐;韩平;施毅;郑有炓 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C30B25/08 | 分类号： | C30B25/08;C30B25/18;C30B25/16;C30B29/38;C23C16/18;C23C16/44;C23C16/02;C23C8/24;C23C28/04 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 | 代理人： | 黄明哲 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种非极性面InN材料的生长方法，利用金属有机物化学汽相外延MOCVD生长系统，在铝酸锂LiAlO2(100)衬底上合成生长m面InN材料以及高In组分m面InGaN材料，所述m面是非极性面的一种，高In组分指InxGa1-xN材料中In组分x大于0.3。本发明利用MOCVD生长系统，采用LiAlO2(100)材料作为衬底、对LiAlO2(100)衬底进行处理以及利用低温缓冲层，合成生长m面InN材料以及高In组分m面InGaN材料，通过选择合适的衬底，在MOCVD系统下，选择适当的生长的技术条件，并利用缓冲层的设计，生产得到非极性面InN材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 极性 inn 材料 生长 方法 | ||
【主权项】：
1、一种非极性面InN材料的生长方法，其特征是利用金属有机物化学汽相外延MOCVD生长系统，在铝酸锂LiAlO2(100)衬底上合成生长m面InN材料以及高In组分m面InGaN材料，所述m面是非极性面的一种，高In组分指InxGa1-xN材料中In组分x大于0.3。
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