[发明专利]磁致伸缩多层膜直接磁性耦合制备方法无效
| 申请号： | 200910029318.1 | 申请日： | 2009-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN101599340A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | 王寅岗;许泽兵;何振鲁 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01F10/00 | 分类号： | H01F10/00;H01F41/18;H01L43/12 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 唐小红 |
| 地址： | 210016江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种磁致伸缩多层膜直接磁性耦合制备方法，属磁敏感功能材料技术领域。(1)抛光预处理衬底；其衬底为可溶于蒸馏水的可溶性立方结构晶体；(2)利用高真空磁控溅射设备在衬底上依次溅射缓冲层、磁致伸缩复合层、保护层；上述磁致伸缩复合层为压磁材料层和反铁磁材料层交替沉积的人工周期多层膜结构，周期数为50～100，上述压磁材料层厚度需小于其交换耦合长度，反铁磁层厚度需大于其临界厚度，在沉积磁致伸缩复合层时，施加50～500Oe的平面诱导磁场；(3)沉积完成后进行热处理以消除内应力；(4)再将样品浸入到蒸馏水中使多层膜与衬底剥离。本方法可用于设计制备具有近零场磁敏特性的磁致伸缩材料，方法简单、效果好。 | ||
| 搜索关键词： | 伸缩 多层 直接 磁性 耦合 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种磁致伸缩多层膜直接磁性耦合制备方法，其特征在于包括以下步骤：(1)、抛光预处理衬底，其中衬底为可溶于蒸馏水的可溶性立方结构晶体；(2)、利用高真空磁控溅射设备在衬底上依次溅射缓冲层、磁致伸缩复合层、保护层；上述磁致伸缩复合层为压磁材料层和反铁磁材料层交替沉积的人工周期多层膜结构，周期数为50～100，上述压磁材料层厚度小于其交换耦合长度，反铁磁层厚度大于其临界厚度，在沉积磁致伸缩复合层时，施加50～500Oe的平面诱导磁场；(3)、沉积完成后进行热处理以消除内应力；(4)、再将样品浸入到蒸馏水中使多层膜与衬底剥离。
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