[发明专利]N型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管有效
| 申请号： | 200910032305.X | 申请日： | 2009-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN101599507A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | 易扬波;李海松;王钦;杨东林;陶平 | 申请（专利权）人： | 苏州博创集成电路设计有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 | 代理人： | 陈忠辉 |
| 地址： | 215123江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及N型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，在衬底上设埋氧化层，埋氧化层上设N型掺杂半导体区，N型掺杂半导体区上设P阱和N型漏区，P阱上设N型源区和P型接触区，P阱表面设栅氧化层，P阱表面的N型源区、P型接触区和栅氧化层以外区域及N型掺杂半导体区表面的N型漏区以外区域设场氧化层，栅氧化层表面设多晶硅栅，场氧化层、P型接触区、N型源区、多晶硅栅及N型漏区的表面设氧化层，N型源区、P型接触区、多晶硅栅和N型漏区上连金属层，在P阱和N型漏区之间的N型掺杂半导体区上表面设上槽区，在N型掺杂半导体区和埋氧化层的接触部位设下槽区。本发明结构能有效提高器件的耐压，降低器件导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 晶体管 | ||
【主权项】：
1.N型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，包括：半导体衬底(9)，在所述半导体衬底(9)上设置有埋氧化层(8)，在所述埋氧化层(8)上设有N型掺杂半导体区(7)，在所述N型掺杂半导体区(7)上设有P阱(6)和N型漏区(10)，在所述P阱(6)上设有N型源区(11)和P型接触区(12)，在所述P阱(6)的表面设有栅氧化层(3)且栅氧化层(3)自P阱(6)延伸至N型掺杂半导体区(7)，在所述P阱(6)表面的N型源区(11)、P型接触区(12)和栅氧化层(3)的以外区域及N型掺杂半导体区(7)表面的N型漏区(10)以外区域设有场氧化层(1)，在所述栅氧化层(3)的表面设有多晶硅栅(4)且多晶硅栅(4)延伸至场氧化层(1)的表面，在所述场氧化层(1)、P型接触区(12)、N型源区(11)、多晶硅栅(4)及N型漏区(10)的表面设有氧化层(5)，在所述N型源区(11)、P型接触区(12)、多晶硅栅(4)和N型漏区(10)上分别连接有金属层(2)，其特征在于：在所述P阱(6)与N型漏区(10)之间的N型掺杂半导体区(7)上表面设有上槽区(13)，在所述N型掺杂半导体区(7)与埋氧化层(8)的接触部位设有下槽区(14)。
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