[发明专利]一种场氧化隔离制造方法无效
| 申请号： | 200910032419.4 | 申请日： | 2009-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN101924059A | 公开（公告）日： | 2010-12-22 |
| 发明（设计）人： | 罗泽煌;郭立 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/318 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214061 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种半导体制造方法，特别是关于埋入式场氧化隔离工艺的制作方法，其包括如下步骤：提供一硅衬底，在硅衬底上形成一层氧化层，然后在氧化层上形成一层氮化硅层；通过掩模光刻以及腐蚀在预定区域对氧化层及氮化硅层进行蚀刻，以形成开口，露出硅衬底；在开口的硅衬底上形成一层热氧化层，然后蚀刻掉该热氧化层，在硅衬底表面形成浅槽；在整个硅片表面生长一层氮化硅膜，蚀刻该氮化硅膜，在浅槽的内壁形成氮化硅侧墙；然后在浅槽内生长场氧化层。根据本发明的方法，在浅槽的内壁形成有氮化硅侧壁，在生长场氧化层时可以调整氮化硅的厚度来控制鸟嘴的厚度，修正鸟嘴的形貌。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 隔离 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种场氧化隔离制造方法，其包括如下步骤：提供一硅衬底，在硅衬底上形成一层氧化层，然后在氧化层上形成一层氮化硅层；通过掩模光刻以及腐蚀在预定区域对氧化层及氮化硅层进行蚀刻，以形成开口，露出硅衬底；其特征在于：其还包括如下步骤：在开口的硅衬底上形成一层热氧化层，然后蚀刻掉该热氧化层，在硅衬底表面形成浅槽；在整个硅片表面生长一层氮化硅膜，蚀刻该氮化硅膜，在浅槽的内壁形成氮化硅侧墙；然后在浅槽内生长场氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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