[发明专利]基于UV固化工艺在硅片表面丝网印刷精细掩膜的方法

摘要

本发明基于UV固化工艺在硅片表面丝网印刷精细掩膜的方法，其工艺步骤如下：步骤1.用H₂SO₄和H₂O₂混合溶液清洗硅片表面的有机物，再用去离子水清洗硅片，然后烘干；步骤2.用丝网印刷的方法将光敏液态材料印刷在硅片表面上，形成掩膜图形；步骤3.将硅片表面上丝网印刷的液态材料用紫外光照射固化，得到固化精细掩膜图形；步骤4.烘干。本发明方法，在硅片表面用丝网印刷液态材料，然后将液态材料快速固化，限制了液态材料的铺展，提高了掩膜的分辨率，减小了线宽，实现了在硅片表面低成本制作精细掩膜的目的。

主权项

1、基于UV固化工艺在硅片表面丝网印刷精细掩膜的方法，其工艺步骤如下：步骤1、清洗硅片表面的有机物，清洗液选H2SO4和H2O2混合溶液；再用去离子水清洗硅片，然后烘干，烘干温度为：60℃～100℃；步骤2、用丝网印刷的方法将光敏液态材料印刷在硅片表面上，形成掩膜图形，硅片表面所形成的掩膜图形厚度为20～100um；所述光敏液态材料对波长100nm～900nm的紫外光具有光敏性能，粘度为500～1000cps；步骤3、将硅片表面上丝网印刷的液态材料用紫外光照射固化，限制液态材料的铺展，得到固化精细掩膜图形；硅片的温度保持在40℃～70℃之间；步骤4、烘干，将固化后的掩膜放到40℃以上的环境中烘烤，去除掩膜中存留的溶剂，烘烤的温度上限以不使掩膜变形为限。