[发明专利]多晶硅铸锭设备的漏硅检测结构

摘要

本发明涉及多晶硅的生产设备，具体是一种多晶硅铸锭设备的漏硅检测结构。该多晶硅铸锭设备的漏硅检测结构包括有坩埚、位于坩埚外侧的护板、位于坩埚下方并与护板下端连接的石墨底板、位于石墨底板下方的塞条组合、位于塞条组合下方的底板组合、位于底板组合下方的隔热板及位于隔热板下方的检测丝，所述石墨底板、塞条组合及底板组合的边缘设置有上、下贯通的溢流孔。本发明在传统设备的结构基础上，在石墨底板，塞条组合和底板组合上增加了溢流孔。如果发生漏硅可以在第一时间溢流到隔热板及检测丝上而被检测到，使工作人员能第一时间采取措施，避免更大的损失。

主权项

1、一种多晶硅铸锭设备的漏硅检测结构，其特征是：它包括有坩埚(1)、位于坩埚外侧的护板(2)、位于坩埚下方并与护板下端连接的石墨底板(3)、位于石墨底板下方的塞条组合(4)、位于塞条组合下方的底板组合(5)、位于底板组合下方的隔热板(6)及位于隔热板下方的检测丝(7)，其特征是：所述石墨底板(3)、塞条组合(4)及底板组合(5)的边缘设置有上、下贯通的溢流孔(8)。