[发明专利]混频器有效
| 申请号： | 200910033233.0 | 申请日： | 2009-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN101610067A | 公开（公告）日： | 2009-12-23 |
| 发明（设计）人： | 吴建辉;陈超;李红;张萌;吉新村;李闯;王昊 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H03D7/00 | 分类号： | H03D7/00;H03D7/14;H04B1/16;H03D3/00 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人： | 叶连生 |
| 地址： | 211109江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种混频器，其包含有混频级和缓冲放大滤波级两级级联，其中混频级包括混频主体电路，所述混频主体电路包括：第一电流源、第二电流源、第一射频输入NMOS管、第二射频输入NMOS管、第三射频输入NMOS管、第四射频输入NMOS管和第一开关级NMOS管、第二开关级NMOS管、第三开关级NMOS管、第四开关级NMOS管；正向的射频信号接第一射频输入NMOS管、第二射频输入NMOS管的栅极，反相的射频信号接第三射频输入NMOS管、第四射频输入NMOS管的栅极。本发明的混频器具有高线性度和低功耗的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 混频器 | ||
【主权项】：
1.一种混频器，其特征在于：所述的混频器包含有混频级和缓冲放大滤波级两级级联，其中混频级包括混频主体电路及动态电荷泄放电路，缓冲放大滤波级电路的结构为一基于运放的低通滤波器，所述混频主体电路包括：第一电流源(S1)、第二电流源(S2)、第一射频输入NMOS管(M1)、第二射频输入NMOS管(M2)、第三射频输入NMOS管(M3)、第四射频输入NMOS管(M4)和第一开关级NMOS管(M5)、第二开关级NMOS管(M6)、第三开关级NMOS管(M7)和第四开关级NMOS管(M8)；所述第一电流源(S1)的一端接地，另一端分别接第一射频输入NMOS管(M1)和第三射频输入NMOS管(M3)的源极，所述第二电流源(S1)的一端亦接地，另一端分别接第二射频输入NMOS管(M2)和第四射频输入NMOS管(M4)的源极；所述第一开关级NMOS管(M5)和第二开关级NMOS管(M6)的漏极接VDD，其源极分别接到第一射频输入NMOS管(M1)和第二射频输入NMOS管(M2)的漏极，其栅极接正向本振信号(LO+)；所述第三开关级NMOS管(M7)和第四开关级NMOS管(M8)的漏极亦接VDD，其源极分别接到第三射频输入NMOS管(M3)和第四射频输入NMOS管(M4)的漏极，其栅极接反相的本振信号(LO-)；正向的射频信号(RF+)接第一射频输入NMOS管(M1)和第二射频输入NMOS管(M2)的栅极，反相的射频信号(RF-)接第三射频输入NMOS管(M3)和第四射频输入NMOS管(M4)的栅极。
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