[发明专利]一种亚微米级四方管状Sb2Se3的制备方法

摘要

本发明涉及一种亚微米级四方管状Sb₂Se₃的制备方法，制备方法为：在室温下将物质的量比为2∶3的SbCl₃和Na₂SeO₃加入到丙三醇液体中，磁力搅拌0.5-2个小时，放入微波反应器中加热8-10min；冷却后，将产物用乙醇和水反复交替洗净，在真空干燥箱中干燥后即得亚微米级Sb₂Se₃四方管。所得Sb₂Se₃为亚微米级四方管，管长10-20μm，管口宽0.5-1μm，管壁厚100-200nm，沿(001)方向生长。本发明提出的Sb₂Se₃亚微米级四方管的制备方法简便，所用设备简单，耗时短，可实现短时间内的大量制备，便于工业化生产。

主权项

1、一种亚微米级四方管状Sb₂Se₃，其特征在于：该化合物属正交晶系的单晶，晶胞参数为a＝11.633b＝11.78c＝3.985其结构为亚微米级四方结构，管长10-20μm，管口宽0.5-1μm，管壁厚100-200nm，沿(001)方向生长。