[发明专利]在钛金属表面制备高载摩擦学DLC薄膜的方法有效
| 申请号： | 200910036095.1 | 申请日： | 2009-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN101671811A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 许晓静;郝欣妮;陈丹;于春航;邵红红;付明喜;宗亮;王宏宇;程晓农 | 申请（专利权）人： | 江苏大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;A61L27/06;A61L27/30 |
| 代理公司： | 南京天华专利代理有限责任公司 | 代理人： | 瞿网兰 |
| 地址： | 212013*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种在钛金属表面制备高载摩擦学DLC(类金刚石)薄膜的方法，其特征是它包括以下步骤：首先，对作为基材的钛金属和靶材的SiC(碳化硅)进行清洗；其次，利用射频磁控溅射法在基材的表面沉积SiC，形成SiC薄膜中间层；最后，利用直流磁控溅射法在SiC薄膜中间层上形成DLC薄膜。本发明的SiC薄膜与基材和DLC薄膜间都具有明显的且呈梯度的元素扩散，很好地解决了DLC薄膜与钛金属间结合状况差的技术难题，大大提高了界面的承载能力；同时本发明通过优化制备工艺使DLC薄膜具有高质量分数的石墨相，大大提高了DLC薄膜自身的承载能力。本发明很好地解决了钛金属表面高载摩擦学DLC薄膜的制备难题，并且工艺简单，在生物医用等领域具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 金属表面 制备 摩擦 dlc 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在钛金属表面制备高载摩擦学DLC薄膜的方法，其特征是它包括以下步骤：首先，对作为基材的钛金属和靶材的碳化硅(SiC)进行清洗；其次，利用射频磁控溅射法在基材的表面沉积SiC，形成SiC薄膜中间层；最后，利用直流磁控溅射法在SiC薄膜中间层上形成类金刚石(DLC)薄膜。
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