[发明专利]发光二极管芯片、制法及封装方法有效
申请号: | 200910037346.8 | 申请日: | 2009-02-19 |
公开(公告)号: | CN101515621A | 公开(公告)日: | 2009-08-26 |
发明(设计)人: | 高志强 | 申请(专利权)人: | 旭丽电子(广州)有限公司;光宝科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 510663广东省广州市广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种发光二极管芯片,包含:一基板、一磊晶层单元、二斜面单元及二电极单元。该基板具有一表面及一底面。该磊晶层单元位于该基板的表面。各该斜面单元系由该磊晶层单元朝该基板的底面方向往下并往外倾斜,各包括位于该磊晶层单元之一倾斜侧壁,及位于该基板之一基板倾斜壁。各该电极单元包括一设于该磊晶层单元之电极,及一由该电极沿相对应的该斜面单元延伸至该基板倾斜壁的导电层。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 芯片 制法 封装 方法 | ||
【主权项】:
1.一种发光二极管芯片,包含:一基板,具有一表面及一底面;一磊晶层单元,位于该基板的表面;二斜面单元,各该斜面单元系由该磊晶层单元朝该基板的底面方向往下并往外倾斜,各包括位于该磊晶层单元之一倾斜侧壁,及位于该基板之一基板倾斜壁;及二电极单元,各该电极单元包括一设于该磊晶层单元之电极,及一由该电极沿相对应的该斜面单元延伸至该基板倾斜壁的导电层;其中,该二电极单元其中之一的导电层与对应的该倾斜侧壁之间还设有一绝缘层。
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