[发明专利]表面粗化的发光二极管芯片及其制造方法无效
| 申请号： | 200910037772.1 | 申请日： | 2009-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN101515622A | 公开（公告）日： | 2009-08-26 |
| 发明（设计）人： | 樊邦扬;叶国光;梁伏波 | 申请（专利权）人： | 鹤山丽得电子实业有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 529728广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种表面粗化的发光二极管芯片及其制造方法，在衬底正面形成锥状的光学微结构，在刻蚀后的衬底正面生长n型半导体层、发光层和p型半导体层，通过刻蚀形成负电极焊线区，在负电极焊线区上制作负电极金属层，在p型半导体层上制作正电极金属层，在负电极金属层与发光层和p型半导体层之间的局部负电极焊线区形成锥状的光学微结构，衬底背面通过研磨抛光后，在衬底的背面形成锥状的光学微结构。锥状的光学微结构可以减少光的全反射次数，避免部分光因全反射而被芯片吸收，可以让芯片内发出的光最快、最大可能地折射到芯片外表面，避免了光在芯片内发生可见光共振，从而实现提高发光二极管芯片的出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 发光二极管 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种表面粗化的发光二极管芯片，包括：衬底，形成于衬底正面的n型半导体层；形成于n型半导体层上的发光层；形成于发光层上的p型半导体层；在n型半导体层上通过刻蚀形成的负电极焊线区；在p型半导体层形成的正电极金属层以及在负电极焊线区上形成的负电极金属层；其特征在于：在衬底的正面、背面以及在负电极金属层与发光层和p型半导体层之间形成的局部负电极焊线区设置有锥状的光学微结构。
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