[发明专利]一种晶体硅太阳电池铝背场二次烧结工艺

摘要

本发明公开了一种晶体硅太阳电池铝背场二次烧结工艺，该工艺利用脉冲方式的激光束或者微波束在电池背面铝背场区域扫描或整体照射，使扫描区域内的铝瞬间加热熔化，并向硅体扩散，在太阳电池背面形成全面或局部的铝重掺杂区，从而形成性能优良的背面场，可以加速少数载流子扩散，提高少数载流子的收集率，提高电池的长波响应，从而提高电池的整体效率。二次烧结的热影响可以控制在铝层周围，不会对电池的其他部分产生明显的不良影响，激光烧结的设计方式多样灵活，制作简便快捷，可以很便捷地结合到现有的工业生产中。

主权项

1.一种晶体硅太阳电池铝背场二次烧结工艺，其特征在于，利用激光束或微波束在晶体硅太阳电池背面铝层密集扫描，使扫描区域内的铝瞬间加热熔化，并向硅体扩散，形成性能优异的重扩散铝背场。