[发明专利]激光制作无铅钎料凸点的方法无效
申请号: | 200910039581.9 | 申请日: | 2009-05-19 |
公开(公告)号: | CN101556925A | 公开(公告)日: | 2009-10-14 |
发明(设计)人: | 师文庆;杨永强 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;B23K26/20 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 | 代理人: | 李卫东 |
地址: | 510640广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供一种激光制作无铅钎料凸点的方法,包括:先在基体用于植球的位置上涂上无铅钎料,并将基体置于加工平面上;然后将基体植球处的位置数据输入计算机中,计算机编程,进行植球路径规划;计算机将规划好的植球路径形成控制信号分别送入控制部件和激光器;接着设置各工艺参数;控制部件控制扫描振镜配合激光器工作,激光束根据植球路径对涂有无铅钎料的基体进行扫描,无铅钎料熔化;然后移走激光束,无铅钎料凝固,并与基体形成冶金结合,至此无铅钎料凸点形成。本发明制得的无铅钎料凸点环保、对人体无害,且本发明加工速度快、加工精度高,加工过程无需保护气,使得工艺过程简单、自动化程度高。 | ||
搜索关键词: | 激光 制作 无铅钎料凸点 方法 | ||
【主权项】:
1、激光制作无铅钎料凸点的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)在基体用于植球的位置上涂上无铅钎料,将已涂上无铅钎料的基体置于激光制作系统的加工平面上;(2)将基体植球处的位置数据输入计算机中,计算机中已编写好的程序对应更新数据,并通过植球处的位置数据进行植球路径规划;(3)计算机将规划好的植球路径形成控制信号分别送入控制部件和激光器;(4)在计算机上设置激光制作钎料凸点的各个工艺参数;(5)控制部件接收控制信号,控制激光制作系统中的振镜单元工作,同时激光器发出的激光束根据植球路径,经过振镜单元后,再经过f-θ平场透镜,最后在加工平面上扫描,将无铅钎料熔化;(6)在移走激光束后,无铅钎料凝固,与基体进行冶金结合,至此形成无铅钎料凸点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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