[发明专利]多孔材料外负载TiO2-X/Csulf复合体及其制备工艺无效

专利信息
申请号: 200910043523.3 申请日: 2009-05-27
公开(公告)号: CN101632943A 公开(公告)日: 2010-01-27
发明(设计)人: 李佑稷;胡文勇 申请(专利权)人: 吉首大学
主分类号: B01J35/10 分类号: B01J35/10;B01J21/06;B01J23/745;B01J23/50;B01J23/34;B01J23/72;B01J23/26;B01J37/00;C02F1/30
代理公司: 长沙正奇专利事务所有限责任公司 代理人: 魏国先
地址: 416000湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明涉及一种多孔材料外负载TiO2-X/Csurf.复合体及其制备工艺。采用超临界流体沉淀技术和溶胶—凝胶法制备具有外负载结构TiO2-X/Csurf.复合纳米材料(X:过渡金属;Csurf.:炭表面)。该方法的突出特点是:应用超临界预处理和溶胶-凝胶法制备具有新奇结构和良好物理化学性质的外负载TiO2-X/Csurf.复合体。为多孔材料外负载掺杂TiO2类光催化材料的应用研究提供了一条新的途径。同时,该工艺简单,易于工业化生产,并且为发展多孔材料外负载纳米材料研究理论、技术与方法体系做出积极地贡献。
搜索关键词: 多孔 材料 负载 tio sub sulf 复合体 及其 制备 工艺
【主权项】:
1、一种多孔材料外负载TiO2-X/Csurf.复合体其特征在于:通过流体具有的超溶解性、强扩散性和独特传质性,使溶质溶解形成过饱和溶液,解临界条件导致其结晶沉淀;利用该方法以超临界CO2流体为溶剂,以多孔材料为模板,将低分子量有机溶液渗透到孔隙里,然后经凝结沉淀,实现对多孔材料孔隙封堵,制备多孔材料——低分子封堵载体;然后以此为双模板,采用溶胶——凝胶法制备出TiO2-X溶胶体负载在封堵载体表面,再通过低温热处理、高温焙烧合成多孔材料外负载TiO2-X/Csurf复合体。
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