[发明专利]一种非带隙的高精度基准电压源无效

专利信息
申请号: 200910043640.X 申请日: 2009-06-09
公开(公告)号: CN101571728A 公开(公告)日: 2009-11-04
发明(设计)人: 陈怒兴;肖海鹏;赵振宇;陈吉华;李少青;马卓;张民选;郭阳;方粮;白创;刘梅;黄冲;李俊丰 申请(专利权)人: 中国人民解放军国防科学技术大学
主分类号: G05F3/30 分类号: G05F3/30
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 410073湖南*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开了一种利用电子迁移率和MOS管阈值电压对温度的变化呈反向趋势的原理,实现了一款非带隙的高精度基准电压源。由三部分电路构成:(1)启动电路,其主要用来解除在电路上电过程中有可能出现的电路死锁状态;(2)基准电流产生电路,其产生一个不随电源电压变化的基准电流;(3)基准电压产生电路,其利用镜像产生的基准电流,采用电子迁移率具有的正温度系数和MOS管阈值电压具有的负温度系数相互调节的方法,实现了零温度系数的基准电压输出。本发明能够有效抑制输出随温度和电源电压变化而变化。同时其能完全兼容普通的CMOS工艺,同时具有结构简单,芯片面积小、输出范围大且精度比较高,因而能大幅降低系统成本。
搜索关键词: 一种 非带隙 高精度 基准 电压
【主权项】:
1、高精度非带隙基准电压产生电路,其特征在于:由启动电路(1),基准电流产生电路(2),基准电压产生电路(3)构成;其中启动电路(1)由包括了MOS管MS1~MS5,PMOS管MS1、MS3源极接电源,NMOS管的MS2、MS4、MS5的源极接地;MS1管的栅极与基准电流产生电路的(2)的M1管的栅、漏相连;MS1管的漏极与MS2、MS3、MS4管的栅极及MS2管的漏极相连;MS3管的漏极与MS4管的漏极及MS5管的栅极相连;MS5管的漏极与基准电流产生电路的(2)的M3、M5管的漏极及M3管的栅极相连;基准电流产生电路(2)由PMOS管M1~M4;NMOS管M5、M6以及电阻R0构成;M1、M2管的源极接电源,M6和电阻R0的一端接地;M1管栅漏短接后与M3管的源极以及基准电压产生电路(3)的M7管连接在一起;M2管的漏极与M4管的源极相连;M3管栅漏短接后与M5管漏端以及M4、M8的栅极相连;M5管的源极接电阻R0,M6管栅漏短接后与M5管的栅极及M4管的漏极相连连接在一起;基准电压产生电路(3)包括了PMOS管M7、M8、MP;NMOS管MN和电阻R1、R2;M7管的源极接电源,MN管的源极和电阻R2接地;电阻R1的一端与M8管的漏相连,一端与电阻R2和MN管的栅极连在一起;M7管的漏极连M8管的源极,M8管的漏极连MP管的源极;MP管的栅极与自身及MN管的漏极连在一起后形成了基准输出。
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