[发明专利]一种直径和长度可控的钨晶须阵列的制备方法

摘要

一种直径和长度可控的钨晶须阵列的制备方法，包括以下工艺步骤：1.将WO₃粉末及沉积基底依次放置于炉内气氛为惰性气体或氮气的反应炉中，加热至850～1100℃；2.从所述反应炉中放置有WO₃粉末的一端通入携带有水蒸汽的流动载气，其中的水蒸汽直接与所述WO₃粉末反应，生成气态WO₂(OH)₂；同时，向所述反应炉中通入还原性气体，所述还原性气体与所述气态WO₂(OH)₂发生还原反应，即在所述沉积基底上形成W晶须阵列；3.达到设定的反应时间后，先关闭载气，保持反应炉内还原性气氛不变，随炉降温至室温。本发明工艺合理、操作方便、设备简单、合成温度低、产率高、所合成的钨晶须直径和长度可控，合成成本低、能耗低。

主权项

1、一种直径和长度可控的钨晶须阵列的制备方法，包括以下工艺步骤：第一步：将粒度为100～600目、纯度为98％～99.99％的WO3粉末及沉积基底依次放置于炉内气氛为惰性气体或氮气的反应炉中，所述沉积基底距WO3粉末5～10mm，加热至850～1100℃；第二步、从所述反应炉中放置有WO3粉末的一端通入携带有水蒸汽的流动载气，所述流动载气直接与所述WO3粉末接触，其中的水蒸汽直接与所述WO3粉末反应，生成气态WO2(OH)2，所述流动载气流速为15～100立方厘米/秒，压力为：104～106Pa，所述水蒸汽的露点为20～60℃；同时，向所述反应炉中通入与所述流动载气同方向运动的还原性气体，所述还原性气体与所述气态WO2(OH)2发生还原反应，即在所述沉积基底上形成W晶须阵列，所述还原性气体流速为：15～100立方厘米/秒；压力为：104～106Pa的；第三步、达到设定的反应时间后，先关闭载气，保持反应炉内还原性气氛不变，随炉降温至室温。