[发明专利]监控金属硅化物形成质量的结构无效
| 申请号： | 200910044890.5 | 申请日： | 2009-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN101465339A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 胡剑 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 郑 玮 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种监控金属硅化物形成质量的结构，包括第一类型半导体衬底，该衬底表面具有第二类型半导体注入区，该结构还包括位于第二类型半导体注入区上的多晶硅线和金属硅化物有源区，其中所述的金属硅化物有源区设置于相邻的两根多晶硅线之间，该金属硅化物有源区中设置有连通引出结构。本发明提出的监控金属硅化物形成质量的结构，其结构简单、监控方便有效、稳定可靠、通用性较强、使用范围较为广泛，能够有效监控金属硅化物形成质量。 | ||
| 搜索关键词： | 监控 金属硅 形成 质量 结构 | ||
【主权项】：
1. 一种监控金属硅化物形成质量的结构，包括第一类型半导体衬底，该衬底表面具有第二类型半导体注入区，其特征在于该结构还包括位于第二类型半导体注入区上的多晶硅线和金属硅化物有源区，其中所述的金属硅化物有源区设置于相邻的两根多晶硅线之间，该金属硅化物有源区中设置有连通引出结构。
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