[发明专利]半导体器件的制作方法有效
| 申请号： | 200910045143.3 | 申请日： | 2009-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN101777494A | 公开（公告）日： | 2010-07-14 |
| 发明（设计）人： | 王国华;吴汉明;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 宋志强;麻海明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的制作方法，包括半导体衬底、沉积于衬底上的栅氧化层及位于栅氧化层上的多晶硅层，该方法还包括：以图案化的光阻胶为掩膜，刻蚀所述多晶硅层；以所述图案化的光阻胶及刻蚀的多晶硅层为屏蔽，在所述衬底中进行深离子注入，形成源极和漏极；将所述图案化的光阻胶进行用于形成栅极的第二次图案化；以所述第二次图案化的光阻胶为掩膜，第二次刻蚀所述多晶硅层形成栅极；以所述栅极为屏蔽，在所述衬底内进行浅离子注入；在所述栅极及衬底表面沉积具有应力的氮化硅层。采用该方法不需要设立侧壁层，而且得到比现有技术更大的应力，因此可以更加灵活有效地调节沟道中载流子迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制作方法，包括半导体衬底、沉积于衬底上的栅氧化层及位于栅氧化层上的多晶硅层，其特征在于，该方法还包括：以图案化的光阻胶为掩膜，刻蚀所述多晶硅层；以所述图案化的光阻胶及刻蚀的多晶硅层为屏蔽，在所述衬底中进行深离子注入，形成源极和漏极；将所述图案化的光阻胶进行用于形成栅极的第二次图案化；以所述第二次图案化的光阻胶为掩膜，第二次刻蚀所述多晶硅层形成栅极；以所述栅极为屏蔽，在所述衬底内进行浅离子注入；在所述栅极及衬底表面沉积具有应力的氮化硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
