[发明专利]沉淀法二氧化硅的表面处理方法及其应用有效

专利信息
申请号: 200910045579.2 申请日: 2009-01-20
公开(公告)号: CN101481549A 公开(公告)日: 2009-07-15
发明(设计)人: 贾丽亚;杨一力;李培 申请(专利权)人: 蓝星有机硅(上海)有限公司
主分类号: C09C1/28 分类号: C09C1/28;C09C3/12
代理公司: 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 代理人: 翟 羽
地址: 201108上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种沉淀法二氧化硅的表面处理方法及其应用,在氮气气氛下,将70~100份不反应的聚硅氧烷(硅油)与增容剂先混合,增容剂占二氧化硅重量的8%~20%;70~100份的沉淀法二氧化硅采用分步渐次减少的加料法加入,每次加料搅拌时间为20~60分钟,得到混合物,混合物在130℃以下反应3~12小时;而后将得到的混合物进行抽真空,温度为130~160℃,时间为3~12小时;将反应性的端羟基聚硅氧烷加入,搅拌均匀;得到的悬浮液再经三辊机研磨,得到均匀的二氧化硅及聚硅氧烷的悬浮液。本发明的优点:二氧化硅在硅油中均匀分布,悬浮液具有很好的流动性,贮存过程中的稳定性,弹性体具有较好的机械性能;简单地使用,经济而且容易工业化。
搜索关键词: 沉淀 二氧化硅 表面 处理 方法 及其 应用
【主权项】:
1. 一种沉淀法二氧化硅的表面处理方法,其特征在于,具体步骤为:(1)将70~100份聚硅氧烷与增容剂在氮气气氛下先混合,其中,增容剂占二氧化硅重量的8~20%;所述的增容剂选自六甲基二硅氮烷,1,3-二乙烯基-1,1,3,3-四甲基二硅氮烷,六甲基环三硅氮烷,八甲基环四硅氮烷中的一种或者几种混合物;(2)70~100份的沉淀法二氧化硅采用分步渐次减少的加料法加入,每次加料搅拌时间为20~60分钟,得到混合物,混合物在130℃以下反应3~12小时;(3)将步骤(2)得到的混合物进行抽真空,温度为130~160℃,时间为3~12小时;将反应性的端羟基聚硅氧烷加入,搅拌均匀;得到的悬浮液再经三辊机研磨,得到均匀的二氧化硅及聚硅氧烷的悬浮液。
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