[发明专利]一种曝光方法无效
| 申请号： | 200910045701.6 | 申请日： | 2009-01-23 |
| 公开（公告）号： | CN101788768A | 公开（公告）日： | 2010-07-28 |
| 发明（设计）人： | 李承赫 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F9/00;G03F1/14 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种曝光方法，所述曝光方法包括：提供布局图；利用布局图的图形信息生成第一曝光条件和第二曝光条件；针对所述第一曝光条件形成第一模型，针对所述第二曝光条件形成第二模型；对第一模型和第二模型进行曝光实验，获得第一曝光剂量和第二曝光剂量；根据第一模型和第二模型生成与前述布局图相对应的模型，并根据所述生成的模型和第一曝光剂量生成第三曝光剂量，根据所述生成的模型和第二曝光剂量生成第四曝光剂量；利用所述与前述布局图相对应的模型制备得到掩膜版；对待曝光的晶圆按照第一曝光条件和第三曝光剂量进行曝光；对所述曝光后的晶圆按第二曝光条件和第四曝光剂量进行曝光。所述曝光方法降低了成本费用并且提高了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 曝光 方法 | ||
【主权项】：
一种曝光方法，其特征在于，包括，提供布局图；利用布局图的图形信息生成第一曝光条件和第二曝光条件；针对所述第一曝光条件形成第一模型，针对所述第二曝光条件形成第二模型；对第一模型和第二模型进行曝光实验，获得第一曝光剂量和第二曝光剂量；根据第一模型和第二模型生成与前述布局图相对应的模型，并根据所述生成的模型和第一曝光剂量生成第三曝光剂量，根据所述生成的模型和第二曝光剂量生成第四曝光剂量；利用所述与前述布局图相对应的模型制备得到掩膜版；对待曝光的晶圆按照第一曝光条件和第三曝光剂量进行曝光；对所述曝光后的晶圆按第二曝光条件和第四曝光剂量进行曝光。
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