[发明专利]以KCdCl3纳米线为模板制备CdS或CdSe纳米管的方法

摘要

本发明涉及一种以KCdCl₃纳米线为模板制备CdS或CdSe纳米管的方法，属于纳米材料制备领域。本发明以乙醇和少量水为反应溶剂，使用水溶性氯化镉、碘化钾作为原料，在室温制备出具有水溶性和反应性的前躯体KCdCl₃纳米线；收集前躯体纳米线，将其分散在乙醇中，加入硫源或硒源，使其在纳米线表面发生阴离子置换反应生成CdS或CdSe纳米晶并在前躯体纳米线表面组装形成管壁，而前躯体纳米线在纳米管生成反应，同时被不断地消耗掉，从而形成由CdS或CdSe纳米晶组装而成的多晶纳米管。本发明具有工艺简单、原料廉价、室温制备、成本低、形貌尺寸可控等特点。

主权项

1、以KCdCl3纳米线为模板制备CdS或CdSe纳米管的方法，包括下述步骤：(1)以氯化镉和碘化钾为反应原料，在水中溶解制成溶液，溶液的摩尔浓度在0.05至2摩尔/升，将上述溶液加入到乙醇中制备得到KCdCl3纳米线；(2)以含S2-离子的化合物为硫源，加入到乙醇中，其浓度控制在0.01至1摩尔/升，用硒粉和强还原剂在乙醇溶液中反应得到Se2-为硒源，硒粉和硼氢化钠的摩尔比范围为1∶1至1∶10，得到硒源溶液的摩尔浓度在0.01至1摩尔/升之间；(3)将步骤(1)得到的KCdCl3纳米线收集分散在乙醇中，同时加入步骤(2)得到的含硫族二价阴离子(S2-和Se2-)的乙醇溶液，反应生成镉的硫族化合物(CdS和CdSe)纳米管。(4)对产物进行分离、洗涤和干燥处理，干燥温度在20-100℃之间。