[发明专利]消除浅沟道隔离中角落效应的研磨方法有效
| 申请号： | 200910045936.5 | 申请日： | 2009-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN101786260A | 公开（公告）日： | 2010-07-28 |
| 发明（设计）人： | 邓永平 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/04 | 分类号： | B24B37/04;B24B29/02;B24B7/22;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种消除浅沟道隔离中角落效应的研磨方法，包括将晶片放置于研磨台上，用一握柄抓住所述晶片，所述研磨台与所述晶片表面之间的研磨压力为1.9至2.1磅/平方英寸，所述研磨台旋转速度为71至75转/分钟，所述握柄旋转速度为65至69转/分钟，本发明减小了研磨压力并减慢了研磨时旋转的速度，从而有效地避免了浅沟道隔离中角落效应的问题的发生。 | ||
| 搜索关键词： | 消除 沟道 隔离 角落 效应 研磨 方法 | ||
【主权项】：
一种消除浅沟道隔离中角落效应的研磨方法，包括将晶片放置于研磨台上，用一握柄抓住所述晶片，其特征在于：所述研磨台与所述晶片表面之间的研磨压力为1.9至2.1磅/平方英寸，所述研磨台旋转速度为71至75转/分钟，所述握柄旋转速度为65至69转/分钟。
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