[发明专利]一种高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED

摘要

本发明揭示了一种高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED，在蓝宝石衬底上依次向上生长有GaN成核层、非掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱有源层、p型ALGaN载流子阻挡层及p型GaN层，所述多量子阱有源层包括：用于释放应力的多量子阱In_xGa_1-xN/GaN层、在所述多量子阱In_xGa_1-xN/GaN层上生长的且用于提高晶体质量改善电学性质的多量子阱In_yGa_1-yN/GaN层、及在所述多量子阱In_yGa_1-yN/GaN层上生长的多量子阱In_zGa_1-zN/GaN发光层。本发明提供的高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED能够改善结晶质量，较好地减少InGaN和GaN间的V型缺陷，提高LED的开启电压。

主权项

1、一种高In组分多InGaN/GaN量子阱结构的LED，在蓝宝石衬底上依次向上生长有GaN成核层、非掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱有源层、p型ALGaN载流子阻挡层及p型GaN层，其特征在于，所述多量子阱有源层包括：用于释放应力的多量子阱InxGa1-xN/GaN层、在所述多量子阱InxGa1-xN/GaN层上生长的且用于提高晶体质量改善电学性质的多量子阱InyGa1-yN/GaN层、及在所述多量子阱InyGa1-yN/GaN层上生长的多量子阱InzGa1-zN/GaN发光层，其中0

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