[发明专利]净化管路及炉管杂质的装置和方法有效
| 申请号： | 200910046890.9 | 申请日： | 2009-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN101826445A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 唐兆云;何有丰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 王一斌;王琦 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种净化管路和炉管杂质的装置，应用于晶圆片沉积工序结束后，正硅酸乙酯TEOS气体管路中设置有流量控制器，该装置包括：加热带和清洗气体管路；所述加热带位于所述的TEOS气体管路外；所述清洗气体管路与所述的TEOS气体管路及炉管连接。本发明还公开了一种净化管路和炉管杂质的方法，对TEOS气体管路及炉管内的TEOS气体进行加热，并通入清洗气体。采用该装置和方法能够有效去除残留在TEOS气体管路和炉管内的TEOS气体，使MFC准确控制流量，并且可以达到控制集成电路制造工艺过程中由于残留杂质引起的产品缺陷的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 净化 管路 炉管 杂质 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种净化管路和炉管杂质的装置，应用于晶圆片沉积工序结束后，正硅酸乙酯TEOS气体管路中设置有流量控制器，其特征在于，该装置包括：加热带和清洗气体管路；所述加热带位于所述的TEOS气体管路外；所述清洗气体管路与所述的TEOS气体管路及炉管连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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