[发明专利]锆钛酸铅－铁酸钴厚膜的制备方法无效
| 申请号： | 200910046944.1 | 申请日： | 2009-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN101514475A | 公开（公告）日： | 2009-08-26 |
| 发明（设计）人： | 翟继卫;莫伟锋;尚飞 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | C25D13/02 | 分类号： | C25D13/02;H01L43/12;H01L43/10 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 许亦琳 |
| 地址： | 200092上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及电子材料与器件领域，公开了一种锆钛酸铅—铁酸钴厚膜的制备方法，该方法的步骤包括：将Pb(Zr0.52Ti0.48)O3粉体和CoFe2O4粉体分散在溶剂中制成浓度均匀的悬浮液，然后在恒电场条件下经过电泳沉积制备而成。本发明制得的锆钛酸铅—铁酸钴厚膜具有良好的电性能和磁性能，可应用于制备厚膜传感器，位移器，具有设备简单，成本低、成膜快、组分易于调整等特点，可大规模制备膜材料。 | ||
| 搜索关键词： | 锆钛酸铅 铁酸钴厚膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种锆钛酸铅-铁酸钴厚膜的制备方法，包括如下步骤：1)先将锆钛酸铅粉体、铁酸钴粉体混合并分散于分散介质中制成悬浮液；2)将电极放置在悬浮液中，保持两极板平行；3)在恒电场条件下，电泳沉积获得厚膜；4)将电泳完毕后所得厚膜进行等静压处理；5)将经过等静压处理的厚膜在高温环境下热处理，制得锆钛酸铅-铁酸钴厚膜。
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