[发明专利]一种利用NandFlash总线扩展T卡的方法有效

专利信息
申请号: 200910047078.8 申请日: 2009-03-05
公开(公告)号: CN101576866A 公开(公告)日: 2009-11-11
发明(设计)人: 石武 申请(专利权)人: 上海闻泰电子科技有限公司
主分类号: G06F13/42 分类号: G06F13/42;G06F13/28
代理公司: 上海汉声知识产权代理有限公司 代理人: 胡 晶
地址: 200001上海市黄浦*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明介绍一种利用NandFlash总线扩展T卡的方法,该方法将NandFlash控制器总线的读使能信号和写使能信号通过一个与门输出连接在T卡的时钟信号上,将T卡的命令应答信号和T卡的数据信号都连接在NandFlash控制器总线的数据线上;从而利用NandFlash的时序匹配T卡的时序,完成对T卡的相关操作。该方法还可以利用NandFlash控制器内部缓存和DMA控制器,完成T卡的高速操作。
搜索关键词: 一种 利用 nandflash 总线 扩展 方法
【主权项】:
1、一种利用NandFlash总线扩展T卡的方法,其中,所述NandFlash控制器总线包含读使能信号、写使能信号和数据线,所述T卡包含时钟信号、命令应答信号和数据信号,该方法包括如下步骤:(1)插入T卡,将所述NandFlash控制器总线的该读使能信号和该写使能信号通过一个与门输出连接在所述的T卡的该时钟信号上,所述T卡的该命令应答信号和所述的T卡的该数据信号都连接在所述的NandFlash控制器总线的该数据线上;(2)从T卡读取数据:CPU通过NandFlash控制器总线向所述T卡发送一个读数据命令,并查询所述T卡的命令应答信号和数据线的状态,如果所述T卡的命令应答信号为低电平(设低电平为NandFlash控制器总线读数据时的电平状态),CPU可以通过NandFlash控制器总线从所述T卡读取命令应答;如果所述T卡的数据线均为低电平,则CPU可以通过所述NandFlash控制器总线从所述T卡中读取数据;(3)向T卡写入数据:CPU通过NandFlash控制器总线向所述T卡发送一个写数据命令,并查询命令应答信号的状态,如果该命令应答信号为低电平(设低电平为NandFlash控制器总线写数据时的电平状态),那么CPU可以通过NandFlash控制器总线向所述T卡读取命令应答,该命令应答被接受后,CPU通过NandFlash控制器总线向所述T卡发送数据。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海闻泰电子科技有限公司,未经上海闻泰电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910047078.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top