[发明专利]半导体存储器单元、驱动其的方法及半导体存储器有效

专利信息
申请号: 200910047222.8 申请日: 2009-03-06
公开(公告)号: CN101826526A 公开(公告)日: 2010-09-08
发明(设计)人: 季明华 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L27/115 分类号: H01L27/115;H01L29/792;H01L29/06;G11C16/10;G11C16/14;G11C16/26
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 李丽
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种半导体存储器单元、驱动其的方法及半导体存储器,其中,所述半导体存储器单元包括第一扩散区和第二扩散区,位于半导体衬底内且分隔开,所述第二扩散区与第一扩散区导电类型相同;栅介电层,位于沟道区上方的半导体衬底上;栅电极,位于所述栅介电层上;第一电荷存储区和/或第二电荷存储区,分别位于栅介电层内且靠近沟道区与第一扩散区之间的部分和栅介电层内且靠近沟道区与第二扩散区之间的部分,所述第一电荷存储区和/或第二电荷存储区内存储的电荷通过电场力注入。本发明通过电场力在栅介电层内形成第一电荷存储区和/或第二电荷存储区构成存储器单元,与现有的形成逻辑电路工艺相兼容,提高了集成电路的性能和降低功耗。
搜索关键词: 半导体 存储器 单元 驱动 方法
【主权项】:
一种非易失性半导体存储器单元,包括:半导体衬底,所述半导体衬底具有第一导电类型;第一扩散区,位于半导体衬底内,所述第一扩散区具有与第一导电类型相反的第二导电类型;第二扩散区,位于半导体衬底内且与第一扩散区隔开,所述第一扩散区和第二扩散区之间形成沟道区,所述第二扩散区与第一扩散区导电类型相同;栅介电层,位于沟道区上方的半导体衬底上;栅电极,位于所述栅介电层上;其特征在于,还包括:第一电荷存储区和/或第二电荷存储区,所述第一电荷存储区位于栅介电层内且靠近沟道区与第一扩散区之间的部分,所述第二电荷存储区位于栅介电层内且靠近沟道区与第二扩散区之间的部分,所述第一电荷存储区和/或第二电荷存储区内存储的电荷通过电场力注入。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910047222.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top