[发明专利]半导体存储器单元、驱动其的方法及半导体存储器有效
申请号: | 200910047222.8 | 申请日: | 2009-03-06 |
公开(公告)号: | CN101826526A | 公开(公告)日: | 2010-09-08 |
发明(设计)人: | 季明华 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115;H01L29/792;H01L29/06;G11C16/10;G11C16/14;G11C16/26 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李丽 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种半导体存储器单元、驱动其的方法及半导体存储器,其中,所述半导体存储器单元包括第一扩散区和第二扩散区,位于半导体衬底内且分隔开,所述第二扩散区与第一扩散区导电类型相同;栅介电层,位于沟道区上方的半导体衬底上;栅电极,位于所述栅介电层上;第一电荷存储区和/或第二电荷存储区,分别位于栅介电层内且靠近沟道区与第一扩散区之间的部分和栅介电层内且靠近沟道区与第二扩散区之间的部分,所述第一电荷存储区和/或第二电荷存储区内存储的电荷通过电场力注入。本发明通过电场力在栅介电层内形成第一电荷存储区和/或第二电荷存储区构成存储器单元,与现有的形成逻辑电路工艺相兼容,提高了集成电路的性能和降低功耗。 | ||
搜索关键词: | 半导体 存储器 单元 驱动 方法 | ||
【主权项】:
一种非易失性半导体存储器单元,包括:半导体衬底,所述半导体衬底具有第一导电类型;第一扩散区,位于半导体衬底内,所述第一扩散区具有与第一导电类型相反的第二导电类型;第二扩散区,位于半导体衬底内且与第一扩散区隔开,所述第一扩散区和第二扩散区之间形成沟道区,所述第二扩散区与第一扩散区导电类型相同;栅介电层,位于沟道区上方的半导体衬底上;栅电极,位于所述栅介电层上;其特征在于,还包括:第一电荷存储区和/或第二电荷存储区,所述第一电荷存储区位于栅介电层内且靠近沟道区与第一扩散区之间的部分,所述第二电荷存储区位于栅介电层内且靠近沟道区与第二扩散区之间的部分,所述第一电荷存储区和/或第二电荷存储区内存储的电荷通过电场力注入。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的