[发明专利]有序介孔二氧化硅基荧光纳米材料及其制备方法有效
| 申请号： | 200910047888.3 | 申请日： | 2009-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN101525533A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 何前军;施剑林;陈雨;崔方明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C09K11/06 | 分类号： | C09K11/06;C09K11/59 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 20005*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种有序介孔二氧化硅基荧光纳米材料及其制备方法，属于介孔分子筛荧光纳米材料技术领域。本发明的有序介孔二氧化硅基荧光纳米材料，其特征在于，孔径尺寸为3～30nm，孔容＞0.5cm3g-1，比表面积＞500m2g-1，有机荧光分子单分散共价嫁接在有序介孔二氧化硅基体的孔道内壁。本发明通过有机荧光官能团单分散共价嫁接在有序介孔二氧化硅基体的孔道内壁，制备得到的荧光材料具有高的嫁接率(可高达0.2个荧光官能团/nm-2)、高的荧光量子产率(大于80％)和优良的光稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 有序 二氧化硅 荧光 纳米 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、有序介孔二氧化硅基荧光纳米材料，其特征在于，孔径尺寸为3～30nm，孔容＞0.5cm3g-1，比表面积＞500m2g-1，有机荧光分子单分散共价嫁接在有序介孔二氧化硅基体的孔道内壁。
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