[发明专利]一种超级电容器极板材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200910047989.0 | 申请日： | 2009-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN101510467A | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | 王连卫;苗凤娟;陶佰睿 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | H01G9/04 | 分类号： | H01G9/04;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司 | 代理人： | 傅戈雁 |
| 地址： | 200062*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种超级电容器极板材料及其制备方法，以微机电系统硅工艺为基础，属于电容器制作领域。一种超级电容器极板材料，结构为在硅微通道衬底层上包覆有一层氧化亚镍薄膜层。本发明所述的材料的制备方法是先采用电化学法制作硅微通道，然后以硅微通道为衬底，经表面预处理后，在无电镀镍液中沉积镍层，最后在氧气气氛中进行快速热退火，形成氧化亚镍/硅微通道复合结构材料。本发明的超级电容器极板材料，比表面积大，化学活性大，有利于电解液更好的与活性材料相接触，能获得较大的电荷存储能力、较好的电容特性，且本发明与现有的微电子加工工艺相结合，使超级电容器更容易小型化、集成化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超级 电容器 极板 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种超级电容器极板材料，其特征是：结构为在硅微通道衬底层上包覆有一层氧化亚镍薄膜层。
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