[发明专利]一种固相烧结碳化硅陶瓷的制备方法无效
| 申请号： | 200910048846.1 | 申请日： | 2009-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN101851099A | 公开（公告）日： | 2010-10-06 |
| 发明（设计）人： | 陈健;黄政仁;刘学建 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C04B35/622 | 分类号： | C04B35/622;C04B35/565 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及以一种固相烧结碳化硅陶瓷的制备方法，属于碳化硅陶瓷领域。本发明选用SiC粉体，B4C和石墨为烧结助剂，选用聚乙二醇；将原料粉体配成35-60wt％的浆料，用SiC球作为研磨球混合，然后将所得浆料烘干，粉碎后过筛；得到的粉体干压成型；在Ar气气氛下烧结。所制备的固相烧结碳化硅陶瓷的密度为2.75-3.10gcm-3，抗弯强度为250-500Mpa。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 烧结 碳化硅 陶瓷 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种固相烧结碳化硅陶瓷的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：(1)选用SiC粉体，占SiC粉体质量0.05-5wt％的B4C，占SiC粉体质量0.5-10wt％的石墨为烧结助剂，占SiC粉体质量0.01-20wt％的聚乙二醇；(2)将原料粉体配成35-60wt％的浆料，用SiC球作为研磨球混合，全部原料∶SiC球＝1∶0.5～5，然后将所得浆料烘干，粉碎后过筛；(3)得到的粉体以20-100Mpa干压成型；在Ar气气氛下烧结。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海硅酸盐研究所，未经中国科学院上海硅酸盐研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910048846.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
