[发明专利]一种氮掺杂氧化锌p型稀磁半导体材料的制备方法无效
| 申请号： | 200910049021.1 | 申请日： | 2009-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN101599363A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | 林文松 | 申请（专利权）人： | 上海工程技术大学 |
| 主分类号： | H01F41/18 | 分类号： | H01F41/18;H01F10/193;H01F1/40 |
| 代理公司： | 上海东亚专利商标代理有限公司 | 代理人： | 段崇雯 |
| 地址： | 200336*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明属于新型半导体自旋电子器件材料制备领域，具体涉及一种氮掺杂氧化锌p型稀磁半导体材料的制备方法。该方法包括如下步骤：1)采用反应磁控溅射方法在衬底上交替沉积ZnO和Zn3N2薄层，制备ZnO/Zn3N2多层膜；2)将ZnO/Zn3N2多层膜在含有氧气的气氛下进行退火处理，完成制备氮掺杂氧化锌p型稀磁半导体材料。本发明采用磁控溅射法制备ZnO/Zn3N2多层膜，结合热氧化退火工艺，可以制备具有c轴择优取向的氮掺杂ZnO稀磁半导体。采用X射线衍射分析(XRD)、霍尔效应测试和超导量子干涉仪(SQUID)磁强计对最后得到的样品薄膜的测试结果表明，本发明获得的氮掺杂ZnO具有c轴择优取向特点、具有p型半导体的特征，并具有铁磁效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 氧化锌 型稀磁 半导体材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮掺杂氧化锌p型稀磁半导体材料的制备方法，其特征是制备方法包括如下步骤：1)采用反应磁控溅射方法在衬底上交替沉积ZnO和Zn3N2薄层，制备ZnO/Zn3N2多层膜；2)将ZnO/Zn3N2多层膜在含有氧气的气氛下进行退火处理，完成制备氮掺杂氧化锌p型稀磁半导体材料。
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