[发明专利]槽刻蚀及多晶硅注入工艺有效
| 申请号： | 200910049074.3 | 申请日： | 2009-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN101859698A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | 汪大祥;孔天午;刘启星;刘丽;钱慧;胡竹平;蒋丽萍;杨青森 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/31;H01L21/311;H01L21/306;H01L21/324 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆嘉 |
| 地址： | 20023*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种槽刻蚀及多晶硅注入工艺，在衬底上开槽并注入多晶硅，包括：在衬底上生长氧化层作为阻挡层、在需要开槽的区域进行光刻版定义、用光刻工艺在衬底上进行开槽、使用不产生聚合物的光硅刻蚀工艺进行槽表面光滑处理、在槽的表面生长牺牲氧化层并使用湿法刻蚀除去牺牲氧化层、使用氢气作为携带气体在槽中进行多晶硅沉积、以及进行硅回刻工艺除去多余的多晶硅。该槽刻蚀及多晶硅注入工艺能够制造出高质量的槽侧壁表面，使用氢气作为携带气体的多晶硅淀积具有好的填孔能力，并保持槽表面的清洁。该槽刻蚀及多晶硅注入工艺可以用来制造多种纵向器件。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 多晶 注入 工艺 | ||
【主权项】：
一种槽刻蚀及多晶硅注入工艺，在衬底上开槽并注入多晶硅，其特征在于，包括：在衬底上生长氧化层作为阻挡层；在需要开槽的区域进行光刻版定义；用光刻工艺在衬底上进行开槽；使用不产生聚合物的光硅刻蚀工艺进行槽表面光滑处理；在槽的表面生长牺牲氧化层，并使用湿法刻蚀除去牺牲氧化层；使用氢气作为携带气体，在槽中进行多晶硅沉积；进行硅回刻工艺除去多余的多晶硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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