[发明专利]接触孔的制作工艺

摘要

一种接触孔的制作工艺，包括：提供半导体衬底，位于半导体衬底上的半导体器件以及覆盖半导体衬底和所述半导体器件的层间介质层；在层间介质层上形成掩膜图形，掩膜图形的每一开口的位置都与半导体器件的部分第一导电层和部分第二导电层的位置对应；依次刻蚀所述层间介质层，半导体器件的硬掩膜层，绝缘材料层直至暴露出部分第二导电层；继续刻蚀，直至完全去除第二导电层上的硬掩膜层，所述刻蚀气体包括CHF3，CH2F2，O2，其中CHF3与CH2F2的流量比小于等于5，且CHF3与CH2F2的流量之和小于等于100sccm，O2的流量为3-9sccm；去除层间介质层上的掩膜图形。

主权项

一种接触孔的制作工艺，包括：提供半导体衬底，位于半导体衬底上的半导体器件以及覆盖半导体衬底和所述半导体器件的层间介质层，其中，所述的半导体器件包括位于半导体衬底上的栅极结构，位于所述栅极结构上的第一导电层，完全覆盖所述栅极结构以及第一导电层的绝缘材料层，位于半导体衬底上栅极结构两侧的第二导电层，以及完全覆盖绝缘材料层和第二导电层的硬掩膜层，其特征在于，还包括步骤：在层间介质层上形成掩膜图形，掩膜图形的每一开口的位置都与部分第一导电层和部分第二导电层的位置对应；依次刻蚀所述层间介质层，硬掩膜层，绝缘材料层直至暴露出部分第二导电层；继续刻蚀，直至完全去除第二导电层上的硬掩膜层，所述刻蚀气体包括CHF3，CH2F2，O2，其中CHF3与CH2F2的流量比小于等于5，且CHF3与CH2F2的流量之和小于等于100sccm，O2的流量为3-9sccm；去除层间介质层上的掩膜图形。