[发明专利]一种在掺硼金刚石基底上生长直立三维网状贵金属纳米片的方法无效
| 申请号： | 200910049641.5 | 申请日： | 2009-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN101570872A | 公开（公告）日： | 2009-11-04 |
| 发明（设计）人： | 赵国华;童希立;刘梅川 | 申请（专利权）人： | 同济大学 |
| 主分类号： | C25D7/00 | 分类号： | C25D7/00;C25D3/22;C25D11/02 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 吴林松 |
| 地址： | 200092上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种在掺硼金刚石基底上生长直立三维网状贵金属纳米片的制备方法，首先在电化学技术中利用电沉积时在掺硼金刚石薄膜基底材料表面产生的氢气泡作为动力学模板，从而获得直立三维网络状纳米金属片；然后，在化学方法过程中利用直立三维网络状金属纳米片做模板，通过取代反应，利用将高价贵金属置换直立三维网络状金属纳米片从而获得掺硼金刚石薄膜上直立的三维网络状贵金属纳米片。依据本发明所获得的这种特殊结构不仅可以充分发挥掺硼金刚石的优点，而且网络纳米结构可以极大地提高贵金属的比表面积和有效的促进活性反应分子在孔管道内的扩散。这种特殊组合同时在材料种类和结构形貌上保证了工作电极获得高的电化学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金刚石 基底 生长 直立 三维 网状 贵金属 纳米 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在掺硼金刚石基底上生长直立三维网状贵金属纳米片的制备方法，其特征在于：首先在电化学技术中利用电沉积时在掺硼金刚石薄膜基底材料表面产生的氢气泡作为动力学模板，从而获得直立三维网络状纳米金属片；然后，在化学方法过程中利用直立三维网络状金属纳米片做模板，通过取代反应，利用将高价贵金属置换直立三维网络状金属纳米片从而获得掺硼金刚石薄膜上直立的三维网络状贵金属纳米片。
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