[发明专利]单晶硅基片表面自组装磺酸基硅烷-二氧化钛复合膜的制备方法无效
| 申请号： | 200910049740.3 | 申请日： | 2009-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN101555629A | 公开（公告）日： | 2009-10-14 |
| 发明（设计）人： | 李健 | 申请（专利权）人： | 上海第二工业大学 |
| 主分类号： | C30B33/00 | 分类号： | C30B33/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 上海东创专利代理事务所 | 代理人： | 宁芝华 |
| 地址： | 201209上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种磺酸基硅烷二氧化钛纳米薄膜在单晶硅上的自组装制备方法，其特点是将单晶硅片预处理，将处理后的单晶硅片浸入配制好的巯基硅烷溶液中，静置8小时，取出后分别用丙酮、氯仿、去离子水冲洗后，用氮气吹干后置于一定浓度的硝酸中在80℃下反应2小时，取出用大量去离子水冲洗，这样就把端巯基原位氧化成磺酸基。再将表面附有磺酸基硅烷薄膜的基片置入配制好的二氧化钛自组装溶液中，在80℃下进行组装12小时，即获得磺酸基硅烷-二氧化钛自组装纳米薄膜。本发明工艺方法简单，成本低，对环境无污染，制得的二氧化钛纳米薄膜分布均匀，成膜致密，且具有十分明显的减摩作用。此外二氧化钛自组装膜还具有良好的抗磨损性能。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 表面 组装 磺酸基 硅烷 氧化 复合 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单晶硅基片表面自组装磺酸基硅烷-二氧化钛复合膜的制备方法，其特征在于按照如下步骤进行：A)将单晶硅片放入王水中，对单晶硅片进行预处理；B)将预处理后的单晶硅片浸入配制好的巯基硅烷溶液中，静置8小时；C)从巯基硅烷溶液中取出单晶硅片后，分别用丙酮、氯仿和去离子水冲洗后，再用氮气吹干；D)再将单晶硅片置于硝酸溶液中在80℃下反应2小时，取出后用大量去离子水冲洗；E)将表面附有磺酸基硅烷薄膜的单晶硅片置于配制好的二氧化钛自组装溶液中，在80℃下进行组装12小时，即获得磺酸基硅烷-二氧化钛自组装纳米薄膜。
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