[发明专利]金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法无效
| 申请号： | 200910049794.X | 申请日： | 2009-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN101593704A | 公开（公告）日： | 2009-12-02 |
| 发明（设计）人： | 孔蔚然;董耀旗 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/265;H01L21/302;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 郑 玮 |
| 地址： | 201203上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法，其步骤包括：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底上形成一凹槽；分别在所述凹槽侧壁下方的半导体衬底内形成轻掺杂漏极区；在所述凹槽的侧壁上形成栅极侧墙；在所述栅极侧墙之间的半导体衬底表面上形成栅极介电层；在所述栅极侧墙和栅极介电层围成的收容空间内形成栅极；在所述栅极侧墙两侧的半导体衬底内，分别形成源极区和漏极区。本发明通过在半导体衬底上先形成一凹槽，再形成栅极侧墙并且在栅极侧墙之间形成栅极介电层以及栅极，缩小了源极区和漏极区之间形成的沟道长度；在凹槽两侧形成的源极区和漏极区高出沟道平面，降低了源极区和漏极区的寄生电容，提高了器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一半导体衬底；在所述半导体衬底上形成一凹槽；分别在所述凹槽侧壁下方的半导体衬底内形成轻掺杂漏极区；在所述凹槽的侧壁上分别形成栅极侧墙；在所述栅极侧墙之间的半导体衬底表面上形成栅极介电层；在所述栅极侧墙和栅极介电层围成的收容空间内形成栅极；在所述栅极侧墙两侧的半导体衬底内，分别形成源极区和漏极区，所述源极区和漏极区与同侧的轻掺杂漏极区相连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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