[发明专利]一种含锗锑硒的多级电阻转换存储材料及应用有效
| 申请号： | 200910050392.1 | 申请日： | 2009-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN101546810A | 公开（公告）日： | 2009-09-30 |
| 发明（设计）人： | 顾怡峰;宋志棠;张挺;刘波;封松林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;C22C12/00;G11C11/56;G11C16/02 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 | 代理人： | 黄志达;宋 缨 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种含锗锑硒的多级电阻转换存储材料及应用，其组分包括锗、锑、硒三种元素，其中锗、锑、硒三种元素的原子百分比依次为0.01～20∶70～99.9∶0.01～15；该材料可应用于电编程的电阻转换存储器等领域的制备；由于该锗锑硒合金材料的电阻率具有随温度变化的特性，从而可以应用到电阻转换存储器中，采用电信号或者激光改变器件的电阻，实现数据的存储功能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 含锗锑硒 多级 电阻 转换 存储 材料 应用 | ||
【主权项】：
1. 一种含锗锑硒的多级电阻转换存储材料，其组分包括锗、锑、硒三种元素，其中锗、锑、硒三种元素的原子百分比依次为0.01～20：70～99.9：0.01～15。
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