[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200910050409.3 | 申请日： | 2009-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN101877354A | 公开（公告）日： | 2010-11-03 |
| 发明（设计）人： | 徐伟中;林德成;卓起德;游宽结;张文广 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/112 | 分类号： | H01L27/112;H01L21/82 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 20120*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了半导体器件及其制造方法，以提高半导体器件中双叠多晶硅栅的双栅匹配程度，进而提高半导体器件所在集成电路的性能。该器件包括双叠多晶硅栅结构，所述双叠多晶硅栅结构由第一栅及第二栅构成，第二栅叠于第一栅上，所述第一栅的结构及第二栅的结构为晶体结构，第一栅与第二栅的晶粒大小匹配，且第一栅与第二栅的晶向结构匹配。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包含双叠多晶硅栅结构，所述双叠多晶硅栅结构由第一栅及第二栅构成，第二栅叠于第一栅上，其特征在于，所述第一栅的结构及第二栅的结构为晶体结构，第一栅与第二栅的晶粒大小匹配，且第一栅与第二栅的晶向结构匹配。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
