[发明专利]半导体硅片的清洗方法和装置有效

专利信息
申请号: 200910050834.2 申请日: 2009-05-08
公开(公告)号: CN101879511A 公开(公告)日: 2010-11-10
发明(设计)人: 王坚;S·V·纳其;谢良智;武俊萍;贾照伟;黄允文;高志峰;王晖 申请(专利权)人: 盛美半导体设备(上海)有限公司
主分类号: B08B3/12 分类号: B08B3/12;H01L21/00
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陆嘉
地址: 201203 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明揭示了一种利用超声波或兆声波装置清洗半导体衬底的方法,包括利用一个硅片夹夹住半导体衬底,将一套超声波或兆声波装置置于半导体衬底附近,喷射化学液体到硅片衬底及半导体衬底与超声波或兆声波装置之间的间隙中,在清洗过程中,硅片夹旋转的同时改变半导体衬底和超声波或兆声波装置之间的距离。硅片夹每旋转一圈,间隙增大或减小0.5λ/N,清洗过程中间隙大小在0.5λn范围内变化,这里λ是超声波或兆声波的波长,N是一个从2到1000的整数,n是从1开始的整数。
搜索关键词: 半导体 硅片 清洗 方法 装置
【主权项】:
一种利用超声波或兆声波装置清洗半导体衬底的方法,包含:利用一个硅片夹夹住半导体衬底;将一套超声波或兆声波装置置于接近半导体衬底的位置;利用至少一个喷嘴将化学液体喷射到硅片衬底及半导体衬底与超声波或兆声波装置之间的间隙中。在清洗过程中,硅片夹每旋转一圈,都要改变半导体衬底和超声波或兆声波装置之间的距离。
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