[发明专利]绝缘栅型双极晶体管及其制作方法无效
| 申请号： | 200910050993.2 | 申请日： | 2009-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN101887912A | 公开（公告）日： | 2010-11-17 |
| 发明（设计）人： | 商海涵 | 申请（专利权）人： | 商海涵 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L29/36;H01L21/331;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 200060 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种绝缘栅型双极晶体管及其制作方法，涉及半导体器件，用以缓解IGBT中寄生电阻引起latch up效应的问题。本发明实施例提供的绝缘栅型双极晶体管，包括N衬底、P型体区以及多晶硅；在所述P型体区的P-区内注有P+层，且所述P+层扩散不到所述多晶硅的覆盖区域。本发明实施例提供的制作方法，包括：在多晶硅刻蚀完成后，进行P-离子注入；在绝缘栅型双极晶体管的表面沉积一层氧化物；用干法刻蚀所述氧化物层，在多晶硅的边缘处形成侧壁；进行P+离子注入；进行杂质推进，使P-离子扩散到多晶硅的下方。本发明实施例中的方法适用于各种存在寄生电阻引起latch up问题的IGBT器件。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 双极晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种绝缘栅型双极晶体管，包括N衬底、P型体区以及多晶硅，其特征在于，在所述P型体区的P-区内注有P+层，且所述P+层扩散不到所述多晶硅的覆盖区域。
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