[发明专利]用于光电器件的多量子阱结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200910051657.X | 申请日： | 2009-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN101582478A | 公开（公告）日： | 2009-11-18 |
| 发明（设计）人： | 李淼;颜建锋 | 申请（专利权）人： | 上海蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L31/10;H01L31/18;H01L21/205 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201203上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于光电器件的多量子阱结构，其靠近N型半导体层的势阱层的厚度大于靠近P型半导体层的势阱层的厚度。本发明还公开了上述多量子阱结构的制备方法，包括采用MOCVD技术在所述光电器件的N型半导体层上依次交叠生长GaN势垒层和InxGa1-xN势阱层；靠近N型半导体层的InxGa1-xN势阱层生长时间为50～200s，靠近P型半导体层的InxGa1-xN势阱层生长时间为靠近N型半导体层的势阱层生长时间的0.5～1倍。本发明所述多量子阱结构可提升光电器件的内量子效率，同时提高反向电压和抗静电性能，降低发光谱峰的半宽提高发光纯度，如果把此结构用于探测器则可以降低暗电流提高探测器的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 光电 器件 多量 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于光电器件的多量子阱结构，包括n个依次交叠的量子阱结构，所述量子阱结构由势垒层和势阱层依次交叠而成，所述光电器件包括N型半导体层和P型半导体层，其特征在于：靠近N型半导体层的势阱层的厚度大于靠近P型半导体层的势阱层的厚度。
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